引入45nm制程—中端处理器大变革

　　对于处理器厂商而言，拥有从高端、中端到低端的完整产品线布局是十分必要的，高端处理器可以帮助厂商树立并提升形象，而低端处理器则可以帮助厂商提升市场占有率，中端处理器对于厂商的重要性则更是不言而喻，市场上也往往都以厂商推出的中端处理器为主流产品。

　　多年来Intel一直在奉行制程更新与处理器架构体系改变的交叉更替，以确保在制程没有改变的情况下可以借由处理器体系架构的更新来提升产品性能，又或是处理器架构没有改变的情况下借由制程的更新来提升产品性能。就这样，我们经历了从Westwood核心到130nm再从90nm到Netbeast,然后是65nm到Conroe、kentsfield等一系列的变革。

　　暨Intel于2007年年底将45nm制程应用于高端的四核心QX9650和QX9770处理器之后，今年Intel则是打算进一步全面过渡到45nm工艺，此次Intel推出的酷睿2 E7000系列处理器，便是全面采用了45nm制程工艺，将成为Intel在中端处理器市场中的重点产品。本文将以E7000系列中的E7200处理器为例来对E7000系列做出解析，在此之前还是让我们一起先来回顾一下45nm制程工艺所带来的一些新的特性和优势。

　　45nm制程—40年晶体管技术最大突破

　　2007年年初，就在AMD于3月28号刚刚展示了其65纳米全新架构的Barcelona四核处理器技术细节之后，英特尔就于3月29号公开对外宣布：其原计划在2008年投入使用的45纳米工艺，以及采用45纳米工艺的Penryn处理器家族提前在2007年第四季度投入使用。那今年Intel毫无疑问的将会进一步普及45nm工艺，不过这次Intel的工艺转换还加入了一些新的元素。

　　所谓的制程工艺，就是指晶体管之间的线宽，如65nm制程就是指晶体管之间的线宽是65nm，但这次Intel 45nm制程的更新不仅是把晶体管间的线宽缩短到45nm，在构成处理器的细胞元件——晶体管上也有着非常重大的突破。

　　晶体管其实就是一种简单的开关装置，可处理电子数据中的0、1组合。处理器就是含有数百万此类通过铜线以特定方式连接在一起的晶体管。而晶体管内部是由源极、漏极、栅电极、栅介质、及硅底层通道。源极是指晶体管中电流产生的部分，它包含涂层硅(doped Si)，漏极是指晶体管中电流流向的部分，这部分与源极一样，都参杂了一些杂质以降低电阻。不过晶体管是绝对对称的，则电流可以从源极流向漏极，也可以从漏极流向源极。栅极电极就是晶体管顶端的区域，其电流的状态决定晶体管是打开还是闭合，传统上栅的制作材料是多晶硅或原子随意排列且不形成网格状结构的硅。栅极介质是位于栅极电极以及沟槽之间一层薄层，目前的数字芯片中晶体管栅介质是由二氧化硅组成，而二氧化硅是绝缘体材料，它的作用是隔绝来自栅极电极的泄漏电流，但如果这个栅介质层太薄其泄漏电流的电量就越大。

　　Intel对晶体管的改进是来自之前晶体管的栅极介质，Intel是使用一种基于铪元素的化合物来替代之前的二氧化硅，这种基于铪元素的High-K介质具备良好的绝缘属性，同时可以在栅

[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] 下一页